什么是微顯示?在顯示行業(yè)提微顯示概時，很多人都不明其義，或?qū)⒕哂小拔�顯示”特點(diǎn)的頭盔懸掛式微型SRT適配光學(xué)放大設(shè)備的顯示裝置稱其為微顯示;五年前，隨著LED小間距技術(shù)在顯示行業(yè)突飛猛進(jìn)，行業(yè)內(nèi)部分先導(dǎo)企業(yè)開始將“微示”用來定義P1.0以下的微間距產(chǎn)品;但隨著Mini/Micro人士為區(qū)別傳統(tǒng)顯示技術(shù)，將這一業(yè)態(tài)稱其為微顯示。

2019年6月21日，中國微顯示產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(籌)和盛世傳媒《LED屏顯世界》雜志發(fā)起舉辦的首屆“中國微顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上，首次對微顯示概念進(jìn)行了定義。與會專家學(xué)者經(jīng)過充分討論，認(rèn)為自Mini/Micro LED等新型顯示概念興起后，國內(nèi)外對于微顯示的認(rèn)知存在理解上的偏差，LED顯示應(yīng)用行業(yè)部分企業(yè)也頻繁借用“微顯示”概念，造成人們認(rèn)知上的混亂，因此厘清微顯示的定義也就成了當(dāng)務(wù)之急。在此次微峰會上，與會行業(yè)廠商代表和來自應(yīng)用一線的用戶代表經(jīng)過激烈而全面地探討，最終達(dá)成在LED顯示應(yīng)用領(lǐng)域用“微間距顯示”來表述“微顯示”的共識。這也是行業(yè)有記錄可查的最早對“微顯示”概念進(jìn)行的定義和界定，也掀起了行業(yè)方方面面對微顯示概念及定義的關(guān)注熱情。

微顯示技術(shù)相關(guān)概念和定義需要統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)

Mini/Micro LED是一種新興的微顯示技術(shù)，具有高亮度、高對比度、高色彩飽和度、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是未來顯示技術(shù)的發(fā)展方向之一。其中，Micro LED技術(shù)是在2000年由來自于德州理工大學(xué)的江紅星和林景瑜兩位教授領(lǐng)導(dǎo)的一個研究小組創(chuàng)造。MicroLED就是傳統(tǒng)LED通過更小的方式排放在陣列中，這種技術(shù)可以降低對極化和封裝層的要求，能讓顯示面板更薄。因此MicroLED的組件都很小，寬度不到50μm，比人類的頭發(fā)還細(xì)。

近年來，市場上涉及Mini/Micro LED的產(chǎn)品幾乎一經(jīng)推出就廣受關(guān)注，Mini/MicroLED這把火，燒得紅遍半邊天。從上游芯片廠到中游封裝廠商，再到下游終端廠商都在談?wù)揗ini/MicroLED，但奇怪的是至今未對“Mini/MicroLED”的概念達(dá)成統(tǒng)一認(rèn)知。

過去，對于Mini/MicroLED的概念，有的依據(jù)LED芯片尺寸<50μm定義為真正的Micro LED，介于50μm到200μm之間的屬于Mini LED;有的依據(jù)芯片面積<2500μm㎡;有的依據(jù)像素間距小于0.5mm;有的則以芯片最終是否帶有襯底作為評判準(zhǔn)則。

從易于技術(shù)迭代理解角度，上游和面板顯示企業(yè)更傾向于從芯片尺寸、正倒裝和薄膜轉(zhuǎn)移(去襯底)來定義 Mini LED和Micro LED;從易于大屏顯示應(yīng)用端理解角度，很多中游和LED顯示屏應(yīng)用企業(yè)則更傾向于用像素間距(Pitch)來定義MiniLED和MicroLED(屏)。

重新定義Mini/Micro LED，明確相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，不但有助于大眾認(rèn)知，其實(shí)也是促進(jìn)行業(yè)向下一代顯示技術(shù)發(fā)展，從而推動我國LED顯示應(yīng)用產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的基本要求。

有鑒于此，很多協(xié)會組織和從事相關(guān)領(lǐng)域研發(fā)生產(chǎn)的企業(yè)都異常熱衷于相關(guān)微顯示概念的定義。例如深圳市照明與顯示工程行業(yè)協(xié)會就率先在2020年牽頭起草了《MiniLED商用顯示屏通用技術(shù)規(guī)范》的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。其中對MiniLED顯示定義為，結(jié)構(gòu)在100-200微米，尺寸介于小間距LED與Micro LED之間。稍后出來的《MicroLED顯示屏通用技術(shù)規(guī)范--中大尺寸顯示屏》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)明確對MicroLED芯片要求:MicroLED芯片尺寸要求長寬任意一邊小于100um;Micro LED芯片應(yīng)為倒裝芯片，應(yīng)采用無焊線工藝。

微顯示產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r

以Mini/MicroLED為代表的微顯示產(chǎn)業(yè)，承襲LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈絡(luò)，其上游產(chǎn)業(yè)鏈為芯片制備及巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，其中涉及到藍(lán)寶石/GaN襯底材料技術(shù)，從GaN外延片到Mini/Micro級芯片的制造技術(shù)以及相關(guān)芯片轉(zhuǎn)移搬運(yùn)和全彩化顯示技術(shù)，處于整個Mini/MicroLED產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié);中游面板封裝產(chǎn)業(yè)鏈則集中在驅(qū)動方式以及背板技術(shù)和面板封裝工藝等方面;下游產(chǎn)業(yè)鏈則主要為Mini/MicroLED產(chǎn)品的應(yīng)用環(huán)節(jié)，就當(dāng)前產(chǎn)業(yè)應(yīng)用情況來看，其應(yīng)用主要集中在一大一小兩端。其大的應(yīng)用主要以三星、索尼以及國內(nèi)雷曼、希達(dá)等為代表的企業(yè)在大尺寸屏幕顯示方面的應(yīng)用，如視頻墻、MicroLED電視和巨幕等;在小尺寸應(yīng)用方面主要以可穿戴的手表以及VR/AR和投影顯示等。

1.上游產(chǎn)業(yè)鏈

在LED顯示產(chǎn)業(yè)中，上游原材料供應(yīng)商提供的是制造 LED基本元素的原材料。這些原材料包括:

襯底材料:氮化鎵(GaN)/藍(lán)寶石/碳化硅(SiC)等。GaN材料是制造半導(dǎo)體LED的重要原材料之一，也是許多其他半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)。藍(lán)寶石是LED所需要的襯底材料，可以幫助LED芯片提高亮度和可靠性。

氮化鎵(GaN)外延片:外延片是在藍(lán)寶石等襯底上生長GaN材料的過程中必不可少的材料。

在Mini/MicroLED芯片制備完成后，其集成工藝將從我們熟悉的直插、表貼、COB封裝制程轉(zhuǎn)變成了“巨量轉(zhuǎn)移”。

Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可以將微小的LED芯片(MiniLED或 Micro LED)從原始晶圓上定位到另一個基板上。這項(xiàng)技術(shù)有助于提高顯示屏的亮度、對比度和分辨率，并具有更低的能源消耗。該技術(shù)使用精密的制造工藝，通過使用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將成千上萬個LED從它們的基板上切割下來，然后將它們直接轉(zhuǎn)移到新的基板上。這可以在保持顏色一致性的同時提高LED的亮度和效率。

(1)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是Mini/MicroLED量產(chǎn)化應(yīng)用的關(guān)鍵

Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是解決LED芯片小間距化、高分辨率化及大尺寸化的關(guān)鍵技術(shù)，其轉(zhuǎn)移良率、制程時間、制程技術(shù)、檢測方式、可重復(fù)性、加工成本等是Mini/MicroLED轉(zhuǎn)移技術(shù)必須考慮的要素。

巨量轉(zhuǎn)移的難點(diǎn)在于，如何提升轉(zhuǎn)移良率到99.9999%(俗稱的“六個九”)，且每顆芯片的精準(zhǔn)度必須控制在正負(fù)0.5μm以內(nèi)。傳統(tǒng)的LED在封裝環(huán)節(jié)，主要采用真空吸取的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)移。但由于真空管在物理極限下只能做到大約80μm，而MicroLED的尺寸基本小于50μm，所以真空吸附的方式在MicroLED時代不再適用。通常巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的轉(zhuǎn)移效率要求在每小時數(shù)十KK級以上現(xiàn)有的LED機(jī)械式轉(zhuǎn)移效率在每小時百K級，遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足Micro LED顯示的轉(zhuǎn)移要求，需要采用全新的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。若巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)取得突破，將進(jìn)一步推動微顯示產(chǎn)業(yè)商業(yè)化進(jìn)程。

Mini/Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣泛，包括電視、智能手機(jī)、汽車照明、VR等。雖然這項(xiàng)技術(shù)的成本較高，但它的優(yōu)點(diǎn)使得它成為未來發(fā)展最快的技術(shù)之一。

（2）LED色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)取得了突破

LED色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)則是為了應(yīng)對Micro LED芯片微縮后的光效降低問題，色轉(zhuǎn)換方案是實(shí)現(xiàn)全彩化的有效方法。其中，量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)被認(rèn)為是解決MicroLED顯示所面臨的紅光LED低光效、巨量轉(zhuǎn)移等難題的候選技術(shù)路線之一。通過噴墨打印技術(shù)將量子點(diǎn)沉積在藍(lán)色或紫外MicroLED芯片上實(shí)現(xiàn)三色發(fā)光，同時避免了巨量化轉(zhuǎn)移。近年來，壓電/熱噴墨打印、氣溶膠噴墨打印、電流體動力噴墨打印、超級噴墨打印等技術(shù)被用來沉積色轉(zhuǎn)換層，為實(shí)現(xiàn)Micro LED全彩化表現(xiàn)出極大潛力。廈門大學(xué)張榮教授團(tuán)隊與臺灣交通大學(xué)郭浩中教授合作，在 Opto-Electronic Advances2022年第5期上發(fā)表了題為“噴墨打印技術(shù)的原理及其在AR/VR微型顯示中的應(yīng)用”的綜述文章。文章介紹了噴墨打印制備Micro LED色轉(zhuǎn)換層的優(yōu)勢，并討論了非輻射能量轉(zhuǎn)移機(jī)制以及色轉(zhuǎn)換層的厚度對色轉(zhuǎn)換效率的影響;介紹了SIJ相對于其他打印技術(shù)在分辨率上的優(yōu)越性。北京理工大學(xué)智能光子學(xué)課題組研究團(tuán)隊立足MicroLED量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)，提出了將噴墨打印與光聚合結(jié)合的策略，發(fā)明了直接打印光聚合原位制備技術(shù)，原位制備出具有微透鏡光學(xué)結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦量子點(diǎn)圖案，實(shí)現(xiàn)了像素尺寸20微米、高度接近10微米的半球形三維鈣鈦礦量子點(diǎn)彩色微陣列，為解決打印像素中發(fā)光不均勻、藍(lán)光泄露等問題提供了新的思路，為 MicroLED色轉(zhuǎn)換、CCD紫外增強(qiáng)探測等光轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了新的技術(shù)路線。

(3)Mini/MicroLED制程設(shè)備取得重大突破

產(chǎn)業(yè)發(fā)展，設(shè)備先行。在我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前期階段，由于受制相關(guān)外延芯片制造及檢測設(shè)備無法獨(dú)立自主，導(dǎo)致我國在上游外延芯片領(lǐng)域嚴(yán)重受制于人，也制約了我國LED產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量運(yùn)營及發(fā)展。隨著行業(yè)發(fā)展，國內(nèi)設(shè)備廠商在中微半導(dǎo)體等設(shè)備廠商的引領(lǐng)下開始崛起，正逐步取代了臺系設(shè)備并與國際高端設(shè)備廠商展開競爭。特別是在Mini/MicroLED設(shè)備研發(fā)方面，國產(chǎn)設(shè)備廠

商基本與國際先進(jìn)廠商處在同等技術(shù)水平線上。其中中微半導(dǎo)體制造的氮化鎵基MOCVD設(shè)備成功應(yīng)用于Mini/MicroLED藍(lán)綠光領(lǐng)域，并占據(jù)絕對領(lǐng)先的市場地位。

近年來，已經(jīng)有眾多設(shè)備廠商進(jìn)入Mini/MicroLED設(shè)備領(lǐng)域，推出了各自的Mini/MicroLED設(shè)備，涵蓋了從巨量轉(zhuǎn)移、芯片點(diǎn)測、分測、固晶、焊線、點(diǎn)膠、檢測返修等諸多關(guān)鍵生產(chǎn)環(huán)節(jié)。

在此期間，一批設(shè)備廠商如中微半導(dǎo)體、新益昌、凱格精機(jī)、海目星等獲得資本市場認(rèn)可，成功融資上市。在資本的加持下，更多如卓興一樣的新興設(shè)備廠商涌入Mini/MicroLED設(shè)備領(lǐng)域，推動整個行業(yè)的發(fā)展。

在Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)攻關(guān)方面，在我國相關(guān)企業(yè)的推動下，激光轉(zhuǎn)移技術(shù)正被更多的國內(nèi)廠商所接受，未來也許會發(fā)展成國內(nèi)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的主流方向。大族激光、先導(dǎo)智能、海目星等企業(yè)已成功批量出貨相關(guān)Mini/MicroLED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備。新益昌也對外宣稱，其轉(zhuǎn)移良率已經(jīng)接近99.999%水平。

在AOI全自動檢測設(shè)備領(lǐng)域更是云集了盟拓、精測、鎂伽、舜宇等一大批新老企業(yè)。而傳統(tǒng)LED顯示屏行業(yè)的諾瓦星云則在2022年推出了基于自研顯示控制芯片和算法在內(nèi)的集點(diǎn)亮、檢測、校正、返修等全流程智能化管理的檢測設(shè)備，正式宣告涉足Mini/MicroLED設(shè)備領(lǐng)域。

有鑒于Mini/MicroLED微顯示產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，資本也青睬于設(shè)備及關(guān)鍵原材料領(lǐng)域布局。據(jù)不完全統(tǒng)計，自2021年以來，僅投入到設(shè)備領(lǐng)域的資金就超百億元。不少風(fēng)投機(jī)構(gòu)看好中國微顯示產(chǎn)業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展，認(rèn)為未來中國微顯示設(shè)備領(lǐng)域完全能走出黑馬行情。

2.微顯示中游產(chǎn)業(yè)鏈

Mini/MicroLED顯示產(chǎn)業(yè)中游封裝產(chǎn)業(yè)鏈指的是將上游供應(yīng)商提供的Mini/MicroLED芯片進(jìn)行封裝測試后交付給下游最終產(chǎn)品制造商的整個生產(chǎn)線。由于此環(huán)節(jié)涉及到驅(qū)動背板技術(shù)的選擇以及驅(qū)動IC與Mini/MicroLED

燈板的鍵合，因此也是整個產(chǎn)業(yè)鏈中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。

將Mini/MicroLED從原始襯底上剝離下來后，需要通過轉(zhuǎn)移技術(shù)，將Mini/MicroLED陣列與驅(qū)動基板進(jìn)行鍵合。常采用的兩種鍵合方式包括傳統(tǒng)的引線鍵合和改進(jìn)的倒裝芯片鍵合。

由于Mini/Micro LED是電流驅(qū)動型發(fā)光器件，其驅(qū)動方式一般只有兩種模式:無源驅(qū)動(PM:Passive Matrix，又稱無源尋址、被動尋址、無源驅(qū)動等等)與有源驅(qū)動(AM:ActiveMatrix，又稱有源尋址、主動尋址、有源驅(qū)動等)。驅(qū)動方式不同，Mini/MicroLED像素單元驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)也不同。

1、無源驅(qū)動技術(shù)

無源驅(qū)動方式把每一列像素的陽極(P-electrode)連接到列數(shù)據(jù)，每一行像素的陰極(N-electrode)連接到行掃描線。某特定的行和列有電流信號通過時，在行列交叉處的像素單元將會被點(diǎn)亮。逐行地對每個像素施加不同的電壓，每個像素能夠?qū)崿F(xiàn)不同的亮度顯示，以點(diǎn)陣的方式動態(tài)顯示圖像。采用Mini/MicroLED無源驅(qū)動技術(shù)會導(dǎo)致電流密度過高，線間存在串?dāng)_，矩陣上不同布線長度的阻抗存在偏差等問題，Mini/MicroLED顯示器的分辨率、亮度、可靠性和畫面質(zhì)量均受到限制。

2、有源驅(qū)動技術(shù)

在有源驅(qū)動電路中，每一個Mini/MicroLED像素都有各自獨(dú)立的驅(qū)動電路，雙晶體管單電容2T1C電路是最基本的有源矩陣驅(qū)動電路。單個2T1C像素電路使用2個TFT晶體管和1個電容，其中T為開關(guān)晶體管，用來控制像素電路的開啟或關(guān)閉，T，是驅(qū)動晶體管，與電壓源VDD相連，在一幀內(nèi)為Mini/MicroLED提供穩(wěn)定的驅(qū)動電流，依靠存儲電容Cs來儲存Vdata數(shù)據(jù)信號。有源驅(qū)動方式克服了像素在掃描時存在的串?dāng)_問題，讓像素單元有更長的點(diǎn)亮?xí)r間，使Mini/MicroLED顯示器擁有更高的顯示亮度。圖(a)顯示雙晶體管單電容器(2T1C)有源矩陣像素電路，有源面板上驅(qū)動電路的配置為如圖(b)所示。

（轉(zhuǎn)載微顯示專刊）

PM是目前市面上較為成熟的技術(shù)方案。相較PM， AM驅(qū)動方式在畫質(zhì)顯示細(xì)膩程度、對比度、功耗等方面更具優(yōu)勢，且AM方式可以控制光源連續(xù)發(fā)光，做到無屏閃，更加護(hù)眼。由于市場對高分區(qū)的高端顯示產(chǎn)品需求不斷增加，畫質(zhì)更優(yōu)，且擁有精準(zhǔn)調(diào)控優(yōu)勢的AM驅(qū)動技術(shù)現(xiàn)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。

歷經(jīng)多年沉淀與儲備，微顯示行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈正在不斷優(yōu)化Mini/MicroLED的技術(shù)方案，助推量產(chǎn)成本的下降。那么，哪項(xiàng)封襲技術(shù)才是微顯示的最優(yōu)選?

就LED封裝技術(shù)來說，自LED顯示器件問世以來，產(chǎn)生了DIP直插、點(diǎn)陣模塊、SMD、COB、IMDPOB、MIP等多種類制，在小間距LED顯示領(lǐng)域，現(xiàn)階段SMD封裝技術(shù)仍是業(yè)內(nèi)主流，如果選擇采用間距P1.0以上的顯示模組，那么SMD仍然會是優(yōu)秀的選擇。但隨著微距化競爭進(jìn)一步加劇，傳統(tǒng)SMD單燈封裝技術(shù)很難滿足P1.0以下小間距LED顯示的需求，需要新的封裝技術(shù)來滿足微顯示時代的發(fā)展要求:

IMD封裝技術(shù)

在傳統(tǒng)小間距下探到POX時代幾乎小無可小的時候，國內(nèi)行業(yè)出現(xiàn)了另外一種替代方案，即采用IMD集成封裝(Integrated MountedDevices，簡稱(“IMD”)的“四合一”“N合一”方案。IMD是將N組RGB燈珠集成封裝在一個小單元中，形成一個燈珠。主要技術(shù)路線:共陽4合1、共陰2合1、共陰4合

1、共陰6合1等。其優(yōu)點(diǎn)在于集成封裝的優(yōu)勢燈珠尺寸更大，表貼更容易，可實(shí)現(xiàn)更小點(diǎn)間距，降低維護(hù)難度。與傳統(tǒng)SMD相比，IMD具有更好的防碰撞性

能和更高的貼片效率。而且IMD具有高顏色一致性，易分BIN性能、SMT工藝兼容性、易返修等優(yōu)點(diǎn)，目前也有不少企業(yè)采用�！八暮弦弧狈庋b被視為傳統(tǒng)表貼燈珠和COB產(chǎn)品之間的折中方案，即一個封裝結(jié)構(gòu)中有四個基本像素結(jié)構(gòu)，集合了SMD和COB的優(yōu)點(diǎn)。這種封裝的好外在千克服了COB封裝里單-CELL結(jié)構(gòu)中LED晶體件過多的技術(shù)難度;對于下游終端制造企業(yè)而言，基本封裝單位的幾何尺寸不會因?yàn)椤跋袼亻g距過小”而變得“非常小”，進(jìn)而導(dǎo)致“表貼”焊接困難度提升;并且一個幾何尺寸剛剛好的基礎(chǔ)封裝結(jié)構(gòu)，有助于小間距LED顯示屏“壞燈”的修復(fù)，甚至滿足“現(xiàn)場手動”修復(fù)的需求(0X的表貼產(chǎn)品和COB產(chǎn)品都不具有這種特性)。但是和 SMD技術(shù)一樣，由于MiniLED需要高密度封裝，IMD也面臨著封裝密度難以突破的限制。

COB封裝技術(shù)

COB(chip-on-board)即板上芯片封裝，是一種區(qū)別于SMD表貼封裝技術(shù)的新型封裝方式，具體是將裸芯用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠粘附在PCB上，然后進(jìn)行引線鍵合實(shí)現(xiàn)其電氣連接，并用膠把芯片和鍵合引線包封。COB的工藝路線包括錫膏印刷，固晶，自動光學(xué)檢測AOI，點(diǎn)亮測試，返修和覆膜。采用倒裝技術(shù)的COB具有很多優(yōu)勢，如散熱性好、可靠性高、保護(hù)力度更強(qiáng)以減少維修成本等。COB技術(shù)突破了發(fā)光芯片封裝為燈珠、燈珠貼裝到PCB板的物理尺寸限制，以其高穩(wěn)定性、超高清顯示技術(shù)特點(diǎn)，成為目前市場上新興的顯示封裝技術(shù)。

我國LED直顯企業(yè)最早在顯示領(lǐng)域涉足COB封裝技術(shù)，在希達(dá)等一批早期企業(yè)的引領(lǐng)下，國內(nèi)LED顯示行業(yè)嘗試用COB工藝替代傳統(tǒng)的SMD貼片工藝。后期在雷曼、卓華等企業(yè)加入COB陣營后，COB技術(shù)路線迅速被行業(yè)所認(rèn)可。后期一線品牌及封裝企業(yè)迅速跟進(jìn)。COB技術(shù)在國內(nèi)LED顯示行業(yè)正式告別了小步慢跑，跨進(jìn)到資本密集的規(guī)模化量產(chǎn)階段。此舉可有效降低成本，促進(jìn)COB規(guī)�；�市場應(yīng)用。

POB封裝技術(shù)

即Packageon Board，行業(yè)內(nèi)俗稱的滿天星方案，首先將LED芯片封裝成單顆的SMDLED燈珠，再把燈珠打在基板上。POB是目前運(yùn)用最廣泛的封裝技術(shù)，在目前的MiniLED背光顯示器產(chǎn)品中尤為普遍。優(yōu)點(diǎn)是成熟度高，能夠滿足大部分應(yīng)用行業(yè)的封裝要求，并且封裝技術(shù)與工藝要求也較低，但缺點(diǎn)是背光模組厚度較高，不能做到輕薄化。從目前技術(shù)情況來看，MiniPOB依然是主流，更適用于43~85寸的TV17~39寸的 MNT車載顯示等，總體的性價比較高。雖然MiniLED背光滲透提速，但其發(fā)展面臨成本、封裝路線等各種挑戰(zhàn)。尤其POB與COB的方案之爭，始終處于MiniLED背光博弈的風(fēng)口浪尖之上。有觀點(diǎn)認(rèn)為，MiniPOB工藝難度低、量產(chǎn)性強(qiáng)，但受限于封裝尺寸，目前普遍應(yīng)用在大OD模組上，主要針對中低階TVMNT和車載市場。而MiniCOB可實(shí)現(xiàn)超薄，OD可達(dá)到~0mm及以上;但現(xiàn)階段工藝難度、設(shè)備投入、物料要求相對較高，模組良率較低。不過，隨著產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)技術(shù)成熟度的提升，良率將得到解決，其發(fā)展前景遠(yuǎn)大于MiniPOB，實(shí)現(xiàn)全領(lǐng)域應(yīng)用。

MIP封裝技術(shù)

MIP(MicroLEDinPackage)是一種基于Micro LED的新型封裝架構(gòu)，其脫胎于久經(jīng)歷練的小間距顯示產(chǎn)品，本質(zhì)是MicroLED和分立器件的有機(jī)結(jié)合，即將大面積的整塊顯示面板分開封裝，這樣更小面積下其良率控制將得到極大提升，同時測試環(huán)節(jié)從芯片后移至封裝段，將有效降低成本提升速率。

從成本角度講，MIP封裝技術(shù)可以不大幅增加設(shè)備，能夠使用當(dāng)前機(jī)臺設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)，這樣就大幅降低了企業(yè)的高昂的產(chǎn)線設(shè)備端投入。同時，MIP技術(shù)將原先需要在芯片端進(jìn)行的測試后移至封裝端，從芯片測試改為對引腳的點(diǎn)測，效率得到大幅提升的同時也進(jìn)一步降低了成本。MIP封裝還更易于后期的檢測和修復(fù)。

由于不同間距產(chǎn)品采用不同的工藝模式，性價比有所不同，故多種封裝模式共存將會持續(xù)一段時間。但從間距逐步減小，性價比逐步提升的趨勢來看，COB和MIP封裝模式具有明顯優(yōu)勢。尤其是MIP適用更小的芯片，減小間距和降低成本的空間更大，MicroLED未來將成為通吃的顯示產(chǎn)品，從大尺寸應(yīng)用到小尺寸應(yīng)用的趨勢已經(jīng)確定，使用的芯片也會越來越小，那么MIP優(yōu)勢將更加明顯。

COG封裝技術(shù)

由于傳統(tǒng)PCB板在Mini/MicroLED微顯示時代不僅面臨小無可小的窘境，而目其線路板設(shè)計難度(層數(shù)、過孔數(shù))及成本都將成倍增加。因此，相關(guān)業(yè)界廠商引進(jìn)了COG封裝概念。COG(chiponglass)，顧名思義，就是玻璃上的芯片封裝技術(shù)�？梢院唵胃爬�為:LED發(fā)光芯片直接封裝在TFT玻璃基板(或者TFT樹脂基板)上的LED顯示單元封裝技術(shù)。這一技術(shù)的主要特點(diǎn)有三個:1LED晶體顆粒直接封裝，這是微米級芯片的巨量操作;2背板電路采用TFT玻璃基板等新型產(chǎn)品替代傳統(tǒng)的PCB電路板;3LED芯片的工作方式是AM主動驅(qū)動，而非傳統(tǒng)PM被動驅(qū)動。

由于COG技術(shù)更適合于采用AM有源驅(qū)動方式的面板廠商，因此更受面板及習(xí)慣面板組裝工藝的終端電視廠商的青睞。相關(guān)廠商認(rèn)為玻璃基板的光滑性，更話合巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的大量LED芯片同步操作�？蓸O大的提升了巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的上限，降低了巨量轉(zhuǎn)移的難度和工藝差因素。

盡管Mini/MicroLED微顯示在PM、AM驅(qū)動方式及基板選擇上，行業(yè)還有不同意見，但不妨礙相關(guān)企業(yè)布局COG技術(shù)。京東方、TCL華星、深天馬、維信諾等面板廠商包括LED直顯領(lǐng)域的龍頭企業(yè)利亞德等都布局了相應(yīng)的COG技術(shù)與驅(qū)動顯示方案。

如果未來主流行業(yè)選擇COG路線，則以Mini/MicroLED為代表的微顯示產(chǎn)業(yè)鏈將會發(fā)生巨變。從PCB載板過渡到 TFT玻璃基板，從PM無源驅(qū)動過渡到AM有源驅(qū)動，在TFT玻璃基板領(lǐng)域具有巨大影響力甚至壟斷能力的企業(yè)，如三星、 LG、京東方、華星光電、群創(chuàng)、友達(dá)、深天馬、惠科等無疑更有優(yōu)勢。因此，在COG時代，TFT玻璃基板作為上游產(chǎn)業(yè)鏈，對相關(guān)LED顯示產(chǎn)品的行業(yè)控制權(quán)、定價權(quán)，具有LED顯示歷史上前所未有的“決定性”地位。

實(shí)際上，從LED直插式技術(shù)、SMD表貼式技術(shù)、COB技術(shù)，到COG技術(shù)，在產(chǎn)品端看，其核心的不同點(diǎn)就是“LED顯示的像素間距越來越小、單位顯示面積LED芯片數(shù)量集成規(guī)模越來越高”。--這也恰是小間距LED顯示、微間距LED顯示、Mini/MicroLED技術(shù)主要的前進(jìn)方向。

有鑒于此，相關(guān)從事微顯示的廠商都基于短板方面進(jìn)行針對性布局。如玻璃基板巨頭京東方于去年11月份控股華燦光電，打通了Mini/MicroLED上游芯片環(huán)節(jié);海信視像增持乾照光電股權(quán)并取得該企業(yè)控制權(quán)，得以補(bǔ)齊Mini/MicroLED上游芯片領(lǐng)域的短板。與此同時，在國內(nèi)LED芯片行業(yè)居首位的三安光電也加強(qiáng)與另一顯示龍頭企業(yè)TCL科技的戰(zhàn)略合作，包括建立合資企業(yè)，加快推動MicroLED芯片的產(chǎn)業(yè)化。稍早前，利亞德與臺灣晶電合資成立利晶微電子，在無錫建成全球首個運(yùn)用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)最小尺寸MicroLED顯示產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)的基地。而聯(lián)建光電也于2019年和重慶康佳研究院成立合資公司，主要從事MiniLED及MicroLED大屏顯示產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)制造。除去這些跨行業(yè)整合布局外，相關(guān)LED封裝企業(yè)的動向也值得觀察，國星、兆馳、中麒都布局了完整的從上游芯片到中游封裝的產(chǎn)線;包括木林森在內(nèi)的部分封裝企業(yè)也朝控股或者參股LED芯片企業(yè)的方向在布局。在Mini/MicroLED微顯示產(chǎn)業(yè)鏈上，越來越多企業(yè)注意到上游芯片領(lǐng)域的核心價值，爭搶上游核心芯片資源成為當(dāng)下微顯示產(chǎn)業(yè)鏈真實(shí)寫照。